區(qū)域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30~50歐姆 ?厘米時(shí),純度相當(dāng)于8~9,可以滿足電子器件的要求。但對(duì)于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測(cè)器級(jí)超純鍺,則尚須經(jīng)過特殊處理。
由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1,要加強(qiáng)化學(xué)提純方法除去這些雜質(zhì),香檳金靶材,然后再進(jìn)行區(qū)熔提純。電子級(jí)純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應(yīng)測(cè)量雜質(zhì)(載流子)濃度,一般可達(dá)10~10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾,再利用多次拉晶和切割尾,香檳金靶材廠家,一直達(dá)到所要求的純度(10原子/厘米),這樣純度的鍺(相當(dāng)于13)所作的探測(cè)器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。
濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式,就是用電子系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬,合金,香檳金靶材價(jià)格,陶瓷化合物等。
熱壓法:ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內(nèi)充填入適當(dāng)粉末以后,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓,香檳金靶材報(bào)價(jià),同時(shí)以1000℃~1600℃進(jìn)行燒結(jié)。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小,燒結(jié)溫度較低,燒結(jié)時(shí)間較短。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均勻,從而影響了生產(chǎn)ITO薄膜的均勻性,且不能生產(chǎn)大尺寸的靶。
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