鋁合金微弧氧化又稱等離子體微弧氧化,等離子體陶瓷化或火花放電沉積技術(shù)。它是在普通陽極氧化基礎上通過提升電壓等措施發(fā)展起來的,微弧氧化電源參數(shù),是通過電解液與相應電參數(shù)的組合,在鋁、鎂、鈦及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時高溫高壓作用,實驗室微弧氧化電源,生長出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。為此微弧氧化膜的硬度和耐磨性都得到明顯提高,其耐腐蝕性和電絕緣性也隨之有較大的提高。
由于微弧氧化是在陽極氧化膜被電ji穿的基礎上進行的,所以在探討微弧氧化機理時我們要結(jié)合電ji穿理論的研究和發(fā)展,從而闡述微弧氧化基本原理。微弧氧化技術(shù)就是在電ji穿理論的基礎上加以研究和應用的新型表面力一技術(shù)。自1932年Betz等觀察到電ji穿的現(xiàn)象以來,許多研究者都對電ji穿產(chǎn)生的原因 過各種各樣的假設和模型。總體上看,電ji穿理論經(jīng)歷了離子電流機理、熱作用機理、機械作用機理以及電子雪崩機理等不同的發(fā)展階段。了解電ji穿原理,對于研究微弧氧化機理,實驗微弧氧化電源,開發(fā)新的表面處理技術(shù)均有著重要的理論意義。
液體成分對微弧氧化的影響
電解液成分是得到合格膜層的關(guān)鍵因素。微弧氧化液一般選用含有一定金屬或非金屬氧化物堿性鹽溶液,如硅酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽等。在相同的微弧電解電壓下,電解質(zhì)濃度越大,成膜速度就越快,微弧氧化電源,溶液溫度上升越慢,反之,成膜速度較慢,溶液溫度上升較快。微弧氧化、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源、微弧氧化電源生產(chǎn)線、微弧氧化電液槽
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