微弧氧化膜層中的蛇紋石含量隨電流的增加而增加,隨頻率的增加而降低,隨電解液中蛇紋石微納米顆粒濃度的增加而增加;試驗(yàn)過(guò)程中試樣與電解槽之間的電場(chǎng)產(chǎn)生的電泳效應(yīng),微弧氧化生產(chǎn)線報(bào)價(jià),使得在電解液中呈電負(fù)性的蛇紋石微納米顆粒移動(dòng)到試樣表面,在接觸到試樣表面熔融態(tài)的高溫氧化物時(shí),微弧氧化生產(chǎn)線供應(yīng),蛇紋石微納米顆粒表面熔化而粘合在試樣表面,經(jīng)電解液冷卻復(fù)合到了微弧氧化膜層中。
什么是微弧氧化技術(shù)?
微弧氧化技術(shù)是近幾年國(guó)內(nèi)外發(fā)展較快的一項(xiàng)高新技術(shù)。
該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn):微弧氧化或微等離子體表面陶瓷化技術(shù),是指在普通陽(yáng)極氧化的基礎(chǔ)上,利用弧光放電增強(qiáng)并會(huì)在陽(yáng)極上發(fā)生的反應(yīng)。
使工件表面的金屬與電解質(zhì)溶液相互作用,微弧氧化生產(chǎn)線供應(yīng)商,在工件表面形成微弧放電,在高溫、電場(chǎng)等因素的作用下,金屬表面形成陶瓷膜。(內(nèi)容僅供參考)
用正交試驗(yàn)法,微弧氧化生產(chǎn)線,對(duì)影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標(biāo),以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設(shè)計(jì),并開(kāi)展了四因素三水平的正交試驗(yàn)。使用掃描電鏡對(duì)正交試驗(yàn)后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進(jìn)行了觀察;利用Image J軟件對(duì)陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進(jìn)行測(cè)量。
結(jié)果表明:影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為:正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。
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