現(xiàn)在的 EEPROM 和 FLASH 都屬于“可多次電擦除存儲器”,但他們二者之間還是有很大差異。
首先,他們差異就是:FLASH按塊/扇區(qū)進行讀寫操作,EEPROM支持按字節(jié)讀寫操作。
其次,容量大小不同:FLASH容量可以做到很大,但EEPROM容量一般都很小。
再次,就是它們的應用場景不同:EERPOM存儲零散小容量數(shù)據(jù),比如:標志位、一組數(shù)據(jù)等。FLASH存儲大容量數(shù)據(jù),比如:程序代碼、圖片信息等。
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1.系統(tǒng)配置信息存儲:EEPROM存儲器可用于存儲設備的配置信息和參數(shù)設置,如計算機BIOS設置。
2.數(shù)據(jù)備份與恢復:在數(shù)據(jù)存儲設備中,EEPROM可作為數(shù)據(jù)備份,高溫175度讀寫存儲器容量,確保數(shù)據(jù)安全。
3.設備ID與序列號:EEPROM存儲器可用于存儲設備的標識符,高溫200度讀寫存儲器容量,如MAC地址、序列號等。
4.用戶偏好設置:在消費電子產(chǎn)品中,EEPROM可用于存儲用戶的個性化設置,如音量、亮度等。
5.工業(yè)控制系統(tǒng):在工業(yè)控制系統(tǒng)中,EEPROM可用于存儲控制參數(shù)和歷史數(shù)據(jù),便于故障診斷和分析。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。FLASH存儲器的基本單元電路,與EEPROM類似,高溫175度讀寫存儲器介紹,也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是一層柵介質(zhì)很薄,讀寫存儲器,作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同,在第二級浮空柵加以正電壓,使電子進入一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用一級浮空柵與源極之間的隧道效應,把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除,因此各單元的源極聯(lián)在一起,這樣,快擦存儲器不能按字節(jié)擦除,而是全片或分塊擦除。
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