用正交試驗法,對影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標,以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設計,鎂合金微弧氧化技術(shù),并開展了四因素三水平的正交試驗。使用掃描電鏡對正交試驗后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進行了觀察;利用Image J軟件對陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進行測量。
結(jié)果表明:影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為:正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。
微弧氧化如何動電位極化曲線檢測?
采用電化學工作站的三電極體系進行測試,測試前為了保證良好的導電性需將試樣一面的陶瓷膜層打磨掉,鎂合金微弧氧化,然后浸泡于質(zhì)量分數(shù)為5%的NaCl水溶液中進行測試。動電位范圍設置為-0.2V~+0.4V(相對于開路電位),掃描速度為1mV/s。采用EchemAnalyst 軟件對極化曲線進行Tafel 擬合得到電化學參數(shù)。
微弧氧化技術(shù)廣泛用途
微弧氧化技術(shù)廣泛運用于航空航天、航空公司、機械設備、交通出行、石油化工設備、紡織品、包裝印刷、電子器件、輕工業(yè)、診療等領(lǐng)域。微弧氧化技術(shù)的應用推廣已獲得基本成效。該成效在航空航天、車輛、機械設備、電子器件、紡織品、輕工業(yè)、等領(lǐng)域中激發(fā)了一股應用微弧氧化技術(shù)的風潮。微弧氧化技術(shù)是近幾年國內(nèi)盛行的高新科技技術(shù),是原材料表面改性材料的一種關(guān)鍵方式。
溫馨提示:以上是關(guān)于鎂合金微弧氧化-日照微弧養(yǎng)護技術(shù)-鎂合金微弧氧化技術(shù)的詳細介紹,產(chǎn)品由日照微弧技術(shù)有限公司為您提供,如果您對日照微弧技術(shù)有限公司產(chǎn)品信息感興趣可以聯(lián)系供應商或者讓供應商主動聯(lián)系您 ,您也可以查看更多與行業(yè)專用設備相關(guān)的產(chǎn)品!
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