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主營：單片機,MOS,大電流mos
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MOS管失效的兩個主要原因：
電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達到一定容量，造成MOS管失效。
柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么？簡單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值，并且達到了某一能量極限i時所產(chǎn)生的常見故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個：生產(chǎn)、運輸和裝配過程中的靜電；設備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運行過程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測試時這種故障更為常見)。
公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
用電源IC立即驅動MOS管
一個好的MOS管驅動電路有下面幾點規(guī)定：
（1）開關管啟用瞬間，WPmos管哪家好，驅動電路應能輸出非常大的電流，使MOS管柵源極間工作電壓快速升高到所需值，確保開關管能迅速開啟且不會有上升沿的高頻率震蕩。
（2）電源開關通斷期內，驅動電路能確保MOS管柵源極間工作電壓長期保持，且有效通導。
（3）關閉一瞬間驅動電路，能供應一個盡量低阻抗的通道，供MOS管柵源極間電容工作電壓的迅速泄流，確保開關管能迅速關閉。
（4）驅動電路構造簡易靠譜、耗損小。
（5）依據(jù)具體情況開展防護。
在控制模塊電源中，常見的是電源IC直接驅動MOS管。應用中，應當留意較大驅動高值電流量、MOS管的分布電容2個主要參數(shù)。電源IC的驅動能力、MOS分布電容尺寸、驅動電阻器電阻值都將危害MOS管電源開關速率。假如挑選MOS管分布電容較為大，電源IC內部的驅動能力又不夠時，必須在驅動電路上提高驅動能力，常應用圖騰柱電源電路提升電源IC驅動能力。
公司成立于2013年7月，WPmos管，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管在開關電路里面起到的作用就是控制電路的通斷和信號的轉換。MOS管大致可分為兩大類：N溝道和P溝道。
在N溝道MOS管電路里，BEEP引腳是高電平就可以導通使得蜂鳴器響應，WPmos管價格，低電平則是關閉蜂鳴器。P溝道MOS管來控制GPS模塊電源的通斷，GPS_PWR引腳是低電平的時候導通，GPS模塊則正常地供電，高電平時使得GPS模塊斷電。
P溝道MOS管在N型硅襯底上P+區(qū)有兩個：漏極和源極。這兩極彼此之間并不通導，當在接地時源極上加有足夠的正電壓，柵極下面的N型硅表面就會浮現(xiàn)出P型的反型層，WPmos管廠家，變成連接漏極和源極的溝道。改變柵極的電壓可以使溝道里的空穴密度發(fā)生變化，因此來改變溝道電阻。這種就被稱為P溝道增強型場效應晶體管。
NMOS的特性，Vgs只要大于一定的數(shù)值便會導通，適用在源極接地的低端驅動的情況下，前提是柵極的電壓達到4V或著10V就行。
PMOS的特性，與NMOS相反，在Vgs只要小于一定的數(shù)值便會導通，適用于源極接VCC時高i端驅動的情況下。但是，由于替換種類少，導通電阻大，價格貴等原因，盡管PMOS可以非常方便地用作在高i端驅動的情況下，所以在高i端驅動中，一般都還是使用NMOS。
總的來說，MOS管有著很高的輸入阻抗，在電路中方便直接耦合，比較容易制作成為規(guī)模大的集成電路 。
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