在LED芯片制作過(guò)程中,揚(yáng)州led外延片,把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片,分撿出來(lái),這些就是后面的散晶,此時(shí)在藍(lán)膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片,也就自然成了邊片。
剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試,對(duì)于不符合相關(guān)要求的晶圓片作另外處理,這些晶圓片是不能直接用來(lái)做LED方片,也就不做任何分檢了,直接賣(mài)給客戶了,也就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片(但是大圓片里也有好東西,如方片)。
LED制作流程分為兩大部分。
首先在襯低上制作氮化家(GaN)基的外延片,這個(gè)過(guò)程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延爐中完成的。
準(zhǔn)備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后,led外延片價(jià)格,按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底,還有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用氣相反應(yīng)物(前驅(qū)物)及Ⅲ族的有機(jī)金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng),將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。
通過(guò)控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類(lèi)比例,從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。
MOCVD外延爐是制作LED外延片蕞常用的設(shè)備。
在現(xiàn)階段白光LED首要經(jīng)過(guò)三種方法完成:
1、選用藍(lán)光LED芯片和熒光粉,由藍(lán)光和黃光兩色互補(bǔ)得到白光或用藍(lán)光LED芯片合作赤色和綠色熒光粉,由芯片宣布的藍(lán)光、熒光粉宣布的紅光和綠光三色混合取得白光;
2、使用紫外LED芯片宣布的近紫外激起三基色熒光粉得到白光。
3、選用紅、綠、藍(lán)三色LED組合發(fā)光即多芯片白光LED;
當(dāng)前使用廣泛的是第二種方法,選用藍(lán)光LED芯片和熒光粉,互補(bǔ)得到白光。因而,此種芯片進(jìn)步LED的流明功率,決議于藍(lán)光芯片的初始光通量及光保持率。
晶元芯片燈珠真?zhèn)伪鎰e方法大全
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