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碳化硅理化性質(zhì)：物質(zhì)特性。β-碳化硅，立方晶系結(jié)構(gòu)，碳化硅供應(yīng)商，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成雖然在異相觸媒擔體的應(yīng)用上，因其具有比α型態(tài)更高之單位表面積而引人注目，河南碳化硅，但直至今日，此型態(tài)尚未有商業(yè)上之應(yīng)用。 碳化硅主要有四大應(yīng)用領(lǐng)域，即: 功能陶瓷、高質(zhì)量耐火材料、磨料及冶金原料。目前碳化硅粗料已能大量供應(yīng)， 不能算高新技術(shù)產(chǎn)品，而技術(shù)含量極高 的納米級碳化硅粉體的應(yīng)用短時間不可能形成規(guī)模經(jīng)濟。
碳化硅在三大領(lǐng)域的作用？
在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用：碳化硅一維納米材料由于自身的微觀形貌和晶體結(jié)構(gòu)使其具備更多的優(yōu)異性能和更加廣泛的應(yīng)用前景，碳化硅批發(fā)，被普遍認為有望成為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料的重要組成單元。第三代半導(dǎo)體材料即寬禁帶半導(dǎo)體材料，又稱高溫半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化鋁、氧化鋅、金剛石等。
這類材料具有寬的禁帶寬度、高的熱導(dǎo)率、高的擊穿電場、高的抗輻射能力、高的電子飽和速率等特點，適用于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的制作。第三代半導(dǎo)體材料憑借著其優(yōu)異的特性，未來應(yīng)用前景十分廣闊。碳化硅可用于單晶硅、多晶硅、鉀、石英晶體等、太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)工程性加工材料。
碳化硅理化性質(zhì)：碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用高質(zhì)量的石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊，經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。
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