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石英晶體諧振器的主要參數(shù)
晶振的主要參數(shù)有標稱頻率，負載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標稱頻率不同，標稱頻率大都標明在晶振外殼上。如常用普通晶振標稱頻率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，對于特殊要求的晶振頻率可達到1000 MHz以上，也有不具標稱頻率的，諧振器生產廠家，如CRB 、ZTB、Ja等系列。負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定諧振器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體諧振器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)諧振晶振的低負載電容晶振：另一個為并聯(lián)諧振晶振的高負載電容晶振。所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一致，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。頻率精度和頻率穩(wěn)定：由于普通晶振的性能基本性能達到一般電器的要求，對于設備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定性。頻率精度從量級到量級不等。穩(wěn)定度從±1到±100ppm不等。這要根據(jù)具體的設備需要而選擇合適的晶振，諧振器廠家，如通信網(wǎng)絡，諧振器現(xiàn)貨，無線資料傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要更高要求的石英晶體諧振器。因此，晶振的參數(shù)決定了晶振的品質和性能。
晶體諧振器用途
石英晶體在電路中用作時間或者頻率基準源，堪稱設備心臟。決定著電子設備的性能穩(wěn)定性。 主要性能指標有： 靜電容(晶體端之間的電容)； 動態(tài)電容 (振動彈力)； 動態(tài)電感 (振動質量)； 串聯(lián)電阻(能耗)； Q值(諧振電路品質)； (負載電容)； -R(負電阻特性)； DLD(激勵功率變化引起阻抗變量)； 調整頻差； 溫度頻差。KOAN晶振側重供應工業(yè)設備，精密儀表，研究所，諧振器，，航天領域。
石英晶體諧振器術語
石英晶體俗稱水晶，成分SiO2，它不僅是較好的光學材料，而且是重要的壓電材料。晶體的主要特征是其原子或分子有規(guī)律排列，反映在宏觀上是外形的對稱性。人造水晶在高溫高壓下結晶而成。在電場的作用下，晶體內部產生應力而形變，從而產生機械振動，獲得特定的頻率。我們利用它的這種逆壓電效應特性來制造石英晶體諧振器。
術語 定義
ＡＴ切割 用特殊的切割角度加工晶體的一種切割方法，用這種切割方法加工的晶體有良好的溫度特性，是制造石英晶體元件常用的方法。
老化率 石英晶體產品頻率相對于時間的穩(wěn)定性，一般情況下它的變化是幾個ppm/年
等效電阻ＲＩ 等效電阻（ESR）通常表明石英諧振器在連續(xù)振蕩中阻抗性能的好壞
調整頻差 各種頻率可接收的變化范圍（一般情況下用ppm表示）
溫度頻差 石英晶體元件頻率隨溫度變化而變化的特性。不同的切割方法和不同的切割角度都有不同的特性曲線。
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