炫吉電子科技公司(圖)-mos價(jià)格-南通mos

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，mos價(jià)格，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。

無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

0世紀(jì)以來(lái)，mos廠家，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，MOS器件是集成電路的重要元器件，需求量持續(xù)增大。MOS，是MOSFET的縮寫，mos萬(wàn)芯半導(dǎo)體，是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有輸入阻抗高、穩(wěn)定性好、噪聲小等優(yōu)點(diǎn)，是重要的功率分立器件之一，在通信、電子、家電、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。隨著半導(dǎo)體工藝制程進(jìn)入納米階段，圍柵硅納米線MOS器件成為關(guān)注重點(diǎn)。

MOS管FET柵源保護(hù)：

1）避免 柵極 di/dt 過(guò)高

因?yàn)檫x用驅(qū)動(dòng)集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會(huì)造成推動(dòng)的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動(dòng)，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過(guò)高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問(wèn)題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個(gè)電阻器，南通mos，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過(guò)壓

因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會(huì)根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會(huì)使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時(shí)柵極非常容易累積正電荷也會(huì)使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護(hù) MOS 管不被穿透。

3）安全防護(hù)漏源極中間過(guò)壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護(hù)電路，一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關(guān)速率越快，造成的過(guò)壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對(duì)策。