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中低壓mos-蘇州炫吉-中低壓mos萬芯半導(dǎo)體

詢盤留言 |投訴|申領(lǐng)|刪除 產(chǎn)品編號:586464803                    更新時間:2024-10-23
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MOS管FET柵源保護(hù):

1)避免 柵極 di/dt 過高

因?yàn)檫x用驅(qū)動集成ic,其輸出阻抗較低,直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連,有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動,或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生,一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器,電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2)避免 柵源極間過壓

因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高,中低壓mos萬芯半導(dǎo)體,漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓,此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透,與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透,中低壓mos公司,因此,要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下,保護(hù) MOS 管不被穿透。

3)安全防護(hù)漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大,但假如漏源極不用保護(hù)電路,一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓,從而毀壞 MOS 管,功率管電源開關(guān)速率越快,造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞,一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對策。

公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),中低壓mos,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。

     無論是NMOS或是PMOS,導(dǎo)通后都會有導(dǎo)通電阻,使得電流在電阻上耗費(fèi)一定的電能,這種耗費(fèi)叫做導(dǎo)通耗損。這時我們只要挑選導(dǎo)通電阻小的MOS管就可以減少導(dǎo)通耗損,如今的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般也就幾十毫歐的樣子,甚至幾毫歐的都有。MOS在導(dǎo)通和截至的情況下,并不是在一瞬間完成的。

      MOS兩邊的電壓有一個降低的過程,流過的電流則有一個升高的過程,中低壓mos價格,在這段時間內(nèi),電壓和電流相乘即是MOS管的損耗大小。一般開關(guān)的損耗要比導(dǎo)通的損耗要大很多,并且要是開關(guān)頻率越高,損耗就越大。導(dǎo)通瞬間的電壓和電流相乘的數(shù)值越大,導(dǎo)致其損耗也越大。如果我們能減少開關(guān)時間,就能夠減少每次導(dǎo)通時的損耗,減少開關(guān)的頻率,也就能夠減少一定時間內(nèi)開關(guān)的頻次,從而做到減少開關(guān)損耗。

MOS管失效的兩個主要原因:

電壓失效:即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓,達(dá)到一定容量,造成MOS管失效。

柵電壓故障:柵極遭受異常電壓尖峰,造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么?簡單地說,MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之,即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值,并且達(dá)到了某一能量極限i時所產(chǎn)生的常見故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個:生產(chǎn)、運(yùn)輸和裝配過程中的靜電;設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運(yùn)行過程中產(chǎn)生高壓諧振;在高壓沖擊時,高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測試時這種故障更為常見)。

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