合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,210度只讀存儲器單價,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。
一般地EEPROM存儲器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數為10萬次,超過這一極限的時候,只讀存儲器,該單元就無法再使用了。但在實際應用中,可能有些數據要反復改寫。這時,可通過變址尋址的方式來突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限。
175度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,210度高溫只讀存儲器單價,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。RAM隨機存取存儲器(Random Access Memory)
CPU根據RAM的地址將數據隨機的寫入或讀出。電源切斷后,所存數據全部丟失。按照集成電路內部結構不同,RAM又分為兩類:
SRAM靜態(tài)RAM(Static RAM)
靜態(tài)RAM速度非???,只要電源存在內容就不會消失。但他的基本存儲電路是由6個MOS管組成1位。集成度較低,200度高溫只讀存儲器單價,功耗也較大。一般高速緩沖存儲器(Cache memory)用它組成。
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存取時間(訪問時間)TA:從存儲器接收到讀/寫命令到信息被讀出或寫入完成所需的時間(決定于存儲介質的物理特性和尋址部件的結構)。
例如:
ROM存取時間通常為幾百ns;
RAM存取時間通常為幾十ns到一百多ns;
雙極性RAM存取時間通常為10~20ns。
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