公司成立于2013年7月,寧海2090mos,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
做電源電路,或是做推動(dòng)領(lǐng)域的電源電路,免不了要使用MOS管。MOS管有很多類型,也是有許多功效。做開關(guān)電源或是推動(dòng)的應(yīng)用,自然便是用它的開關(guān)功效。
不管N型或是P型MOS管,其原理實(shí)質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在鍵入端柵極的電流來調(diào)節(jié)輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它根據(jù)加在柵極上的電流操縱器件的特點(diǎn),不容易產(chǎn)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流造成的正電荷儲(chǔ)存效用,因而在開關(guān)運(yùn)用中,MOS管的開關(guān)速率應(yīng)當(dāng)比三極管快。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
功率MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管是較為常用的一類功率器件,中文全名是——金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它屬于一種功率輸出的器件,主要由金屬、氧化物還有半導(dǎo)體三種材料構(gòu)成。那么什么是功率MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管呢?
其實(shí)就是從名字來看,功率MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管就是它再工作時(shí)能輸出較大的電流。場(chǎng)效應(yīng)管的分類又分為很多種,2090mos公司,其中圍繞功耗的特性我們可以分成增強(qiáng)型和耗盡型,如果按照溝道來選的話又可以分成N溝道型和P溝道型。
場(chǎng)效應(yīng)管在輸出功率的系統(tǒng)中,2090mos價(jià)格,主要被當(dāng)做系統(tǒng)的開關(guān)。如果我們?cè)贜溝道場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和源極之間再加上一個(gè)電壓,就會(huì)讓其電源開關(guān)導(dǎo)通。電源開關(guān)導(dǎo)通之后,電流即可經(jīng)過電源開關(guān)從漏極流入源極。其中在漏極和源極之間會(huì)存在一個(gè)內(nèi)電阻,我們一般叫做導(dǎo)通電阻器RDS(ON)。我們一定要清楚場(chǎng)效應(yīng)管的柵極實(shí)際上是一個(gè)高特性的阻抗端,所以我們需要在柵極上再添加一個(gè)電壓。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí),電源開關(guān)關(guān)掉,而電流量終止根據(jù)器件。盡管這時(shí)候器件早已關(guān)掉,但依然有細(xì)微電流量存有,這稱作泄露電流IDSS。
因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管是電氣控制系統(tǒng)中基本上的構(gòu)件之一,挑選恰當(dāng)?shù)膱?chǎng)效應(yīng)管對(duì)全部設(shè)計(jì)方案是不是取得成功起著重要的功效。僅有掌握?qǐng)鲂?yīng)管的種類及掌握決策他們的關(guān)鍵特性特性,設(shè)計(jì)方案工作人員才可以對(duì)于特殊設(shè)計(jì)方案挑選恰當(dāng)?shù)膱?chǎng)效應(yīng)管。
MOS管FET柵源保護(hù):
1)避免 柵極 di/dt 過高
因?yàn)檫x用驅(qū)動(dòng)集成ic,其輸出阻抗較低,直推功率管會(huì)造成推動(dòng)的功率管迅速的開啟和斷連,2090mos萬芯半導(dǎo)體,有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動(dòng),或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生,一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個(gè)電阻器,電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。
2)避免 柵源極間過壓
因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高,漏極與源極間的工作電壓基因突變會(huì)根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓,此工作電壓會(huì)使非常薄的柵源空氣氧化層穿透,與此同時(shí)柵極非常容易累積正電荷也會(huì)使柵源空氣氧化層穿透,因此,要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下,保護(hù) MOS 管不被穿透。
3)安全防護(hù)漏源極中間過壓
盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大,但假如漏源極不用保護(hù)電路,一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓,從而毀壞 MOS 管,功率管電源開關(guān)速率越快,造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞,一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對(duì)策。
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