在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒,丹東貴金屬復(fù)合材料,這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外,薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大,過99.995%(4N5)純度的銅靶,貴金屬復(fù)合材料哪家好,或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。
使用電子導(dǎo)電性橡膠時,由于導(dǎo)電性填充劑添加量的變化都會引發(fā)電阻劇烈變化,所以存在電阻值很難控制的問題。而且,由于橡膠中的導(dǎo)電性填充劑難以均勻分散,貴金屬復(fù)合材料廠,所以輥筒的圓周方向和寬度方向上的電阻值不均勻。
對橡膠組合物進行硫化處理的方法包括使用加壓裝置和硫化處理槽的間歇式或連續(xù)式硫化法。用間歇式硫化法進行硫化處理制造輥筒時,由于端部和中央部分會產(chǎn)生壓力和熱傳遞差,所以電阻值不均勻。
各種純度鋁中的雜質(zhì)含量及剩余電阻率如表2所示。超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定,其值約為2×10-5。現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展趨勢是對金屬純度要求越來越高。因為金屬未能達到一定純度的情況下,金屬特性往往為雜質(zhì)所掩蓋。不僅是半導(dǎo)體材料,貴金屬復(fù)合材料加工,其他金屬也有同樣的情況,由于雜質(zhì)存在影響金屬的性能。
鎢過去用作燈泡的燈絲,由于脆性而使處理上有困難,在適當(dāng)提純之后,這種缺點即可以克服(鎢絲也有摻雜及加工問題)。
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