2090mos-炫吉-2090mos生產(chǎn)廠家

電子元器件都有電氣參數(shù)，在選型時(shí)要給電子元器件留出足夠的余量，才能保證電子元器件的穩(wěn)定性和長(zhǎng)期運(yùn)行。接下來(lái)簡(jiǎn)要介紹一下三極管和MOS管的選型方法。

三極管是一種流控型器件，2090mos廠家，MOS管是壓控型器件，兩者之間有相似之處，在選擇時(shí)需要考慮耐壓、電流等參數(shù)。

1、根據(jù)耐壓選型

三極管的集電極C與發(fā)射極E之間能承受的電壓參數(shù)為V(BR)CEO，工作時(shí)CE之間的電壓不得超過(guò)規(guī)定值，否則三極管將永i久損壞。

在使用過(guò)程中，MOS管的漏極D與源極S之間也存在電壓，工作時(shí)DS兩端的電壓不能超過(guò)規(guī)定值。一般來(lái)說(shuō)，MOS管的耐壓值遠(yuǎn)高于三極管。

2、過(guò)電流能力

三極管有ICM參數(shù)，即集電極的過(guò)電流能力，MOS管的過(guò)電流能力以ID來(lái)表示。當(dāng)電流工作時(shí)，流過(guò)三極管/MOS管的電流不能超過(guò)規(guī)定值，2090mos，否則器件將會(huì)被燒壞。

考慮到工作穩(wěn)定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作溫度

商業(yè)級(jí)芯片：一般范圍在0到+70℃；

工業(yè)級(jí)芯片:一般范圍在-40到+85℃；

軍i工級(jí)芯片：一般范圍在-55℃到+150℃；

在進(jìn)行MOS管選型時(shí)，要根據(jù)產(chǎn)品的使用場(chǎng)合選擇合適的芯片。

4、根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率選擇

三極管和MOS管都有開(kāi)關(guān)頻率/響應(yīng)時(shí)間的參數(shù)。如果用于高頻電路中，必須考慮開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)時(shí)間是否符合使用條件。

5、其他選型條件

例如，MOS管的導(dǎo)通電阻Ron參數(shù)、MOS管的VTH開(kāi)啟電壓等。

MOS管失效的兩個(gè)主要原因：

電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOS管額定電壓，達(dá)到一定容量，造成MOS管失效。

柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么？簡(jiǎn)單地說(shuō)，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡(jiǎn)而言之，即MOS管漏源極的電壓超過(guò)了它規(guī)定的電壓值，并且達(dá)到了某一能量極限i時(shí)所產(chǎn)生的常見(jiàn)故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個(gè)：生產(chǎn)、運(yùn)輸和裝配過(guò)程中的靜電；設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時(shí)，高壓通過(guò)Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測(cè)試時(shí)這種故障更為常見(jiàn))。

公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，2090mos生產(chǎn)廠家，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。且場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開(kāi)關(guān)。