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合肥啟爾特石油科技有限公司
主營：175度晶振,150度單片機,150度存儲器,175度電容
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動態(tài)隨機存儲器（DRAM）
動態(tài)RAM的存儲矩陣由動態(tài)MOS存儲單元組成。動態(tài)MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能等于0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。
175度測井存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ，適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，200度高溫讀寫存儲器參數(shù)，175度FLASH存儲器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
Flash 儲存器的標準物理結(jié)構(gòu)，稱之為基本位（cell）；一般MOS閘極（Gate）和通道的間隔為氧化層之絕緣（gate oxide），而Flash 儲存器的特色是在控制閘（Control gate）與通道間多了一層稱為“浮閘”（floating gate）的物質(zhì)。拜這層浮閘之賜，使得Flash 儲存器可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給內(nèi)存的環(huán)境下，也能透過此浮閘，來保存數(shù)據(jù)的完整性。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ，適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存儲器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器，容量較小，如有需要的客戶，210度高溫讀寫存儲器參數(shù)，歡迎來電。
隨著技術(shù)的不斷進步，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦除可編程只讀存儲器）來了，解決了ROM過去歷史中存在一些問題。
早期的EEPROM: 早期的EEPROM的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié)，可以往每個bit中寫入0或者1，現(xiàn)在基本以字節(jié)為單位了。
早期的EEPROM具有較高的可靠性，讀寫存儲器，但是電路更復(fù)雜，其成本也更高，因此EEPROM的容量都很小，從幾KB到幾百KB不等。（有點類似前面說的因為工藝和制造成本的原因，RAM的容量也不大）。 如今的EEPROM支持連續(xù)多字節(jié)讀寫操作了，算是已經(jīng)發(fā)展到很厲害的水平了。
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