炫吉電子(圖)-萬(wàn)芯mos管報(bào)價(jià)-啟東萬(wàn)芯mos管

發(fā)熱情況有：

1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，萬(wàn)芯mos管價(jià)格，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的非常忌諱的錯(cuò)誤。

2.頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3.沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，萬(wàn)芯mos管公司，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。

4.MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，啟東萬(wàn)芯mos管，MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。

電子元器件都有電氣參數(shù)，在選型時(shí)要給電子元器件留出足夠的余量，才能保證電子元器件的穩(wěn)定性和長(zhǎng)期運(yùn)行。接下來(lái)簡(jiǎn)要介紹一下三極管和MOS管的選型方法。

三極管是一種流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者之間有相似之處，在選擇時(shí)需要考慮耐壓、電流等參數(shù)。

1、根據(jù)耐壓選型

三極管的集電極C與發(fā)射極E之間能承受的電壓參數(shù)為V(BR)CEO，工作時(shí)CE之間的電壓不得超過(guò)規(guī)定值，萬(wàn)芯mos管報(bào)價(jià)，否則三極管將永i久損壞。

在使用過(guò)程中，MOS管的漏極D與源極S之間也存在電壓，工作時(shí)DS兩端的電壓不能超過(guò)規(guī)定值。一般來(lái)說(shuō)，MOS管的耐壓值遠(yuǎn)高于三極管。

2、過(guò)電流能力

三極管有ICM參數(shù)，即集電極的過(guò)電流能力，MOS管的過(guò)電流能力以ID來(lái)表示。當(dāng)電流工作時(shí)，流過(guò)三極管/MOS管的電流不能超過(guò)規(guī)定值，否則器件將會(huì)被燒壞。

考慮到工作穩(wěn)定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作溫度

商業(yè)級(jí)芯片：一般范圍在0到+70℃；

工業(yè)級(jí)芯片:一般范圍在-40到+85℃；

軍i工級(jí)芯片：一般范圍在-55℃到+150℃；

在進(jìn)行MOS管選型時(shí)，要根據(jù)產(chǎn)品的使用場(chǎng)合選擇合適的芯片。

4、根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率選擇

三極管和MOS管都有開(kāi)關(guān)頻率/響應(yīng)時(shí)間的參數(shù)。如果用于高頻電路中，必須考慮開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)時(shí)間是否符合使用條件。

5、其他選型條件

例如，MOS管的導(dǎo)通電阻Ron參數(shù)、MOS管的VTH開(kāi)啟電壓等。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

在一般電子電路中，通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOSFET扮演的角色主要是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。