EEPROM在寫新的數(shù)據(jù)前不需要先擦除,可以每次改寫一個字節(jié)。這種靈活的擦寫方式使得EEPROM在需要頻繁更新數(shù)據(jù)的場景中具有優(yōu)勢。然而,EEPROM的讀寫速度相對較慢,且容量較小,價格較高。
Flash存儲器在寫新的數(shù)據(jù)前必須先擦除,而且經(jīng)常是只允許整頁擦除,沒有辦法擦除一個字節(jié)。這種成塊的讀寫方式使得Flash存儲器在寫入大量數(shù)據(jù)時具有較高的效率。但需要注意的是,F(xiàn)lash存儲器的擦除操作相對復(fù)雜,需要消耗較長的時間。
高溫210度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,175度高溫存儲器介紹,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。
存取時間(訪問時間)TA:從存儲器接收到讀/寫命令到信息被讀出或?qū)懭胪瓿伤璧臅r間(決定于存儲介質(zhì)的物理特性和尋址部件的結(jié)構(gòu))。
例如:
ROM存取時間通常為幾百ns;
RAM存取時間通常為幾十ns到一百多ns;
雙極性RAM存取時間通常為10~20ns。
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為什么單片機中很少有EEPROM了。
下面簡單總結(jié)以下幾點原因:
1.Flash容量更大,儲存數(shù)據(jù)更多;
2.Flash速度更快,特別是讀取速度;
3.同等容量,F(xiàn)lash成本更低;
4.Falsh體積更小,在單片機有限的空間Flash優(yōu)勢更明顯;
5.隨著RAM增加、CPU處理速度增快,能用Flash“模擬”EERPOM;
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