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氧化膜的生長過程就是氧化膜不斷生成和不斷溶解的過程。
第二段b（曲線bc段）：多孔層形成。隨著氧化膜的生成，電解液對膜的溶解作用也就開始了。由于生成的氧化膜并不均勻，在膜很薄的地方將首先被溶解出空穴來，電解液就可以通過這些空穴到達鋁的新鮮表面，上海鋁氧化，電化學(xué)反應(yīng)得以繼續(xù)進行，電阻減小，電壓隨之下降（下降幅度為至高值的10～15%），膜上出現(xiàn)多孔層。
氧化膜的生長過程就是氧化膜不斷生成和不斷溶解的過程。
第三段c（曲線cd段）：多孔層增厚。陽極氧化約20s后，電壓進入比較平穩(wěn)而緩慢的上升階段。表明無孔層在不斷地被溶解形成多孔層的同時，新的無孔層又在生長，也就是說氧化膜中無孔層的生成速度與溶解速度基本上達到了平衡，故無孔層的厚度不再增加，電壓變化也很小。但是，鋁氧化生產(chǎn)廠家，此時在孔的底部氧化膜的生成與溶解并沒有停止，他們?nèi)栽诓粩噙M行著，結(jié)果使孔的底部逐漸向金屬基體內(nèi)部移動。隨著氧化時間的延續(xù)，孔穴加深形成孔隙，具有孔隙的膜層逐漸加厚。當(dāng)膜生成速度和溶解速度達到動態(tài)平衡時，即使再延長氧化時間，氧化膜的厚度也不會再增加，此時應(yīng)停止陽極氧化過程。陽極氧化特性曲線與氧化膜生長過程。
影響陽極氧化氧化膜質(zhì)量的因素主要有：
氧化時間：氧化時間的選擇，取決于電解液濃度，溫度，陽極電流密度和所需要的膜厚。相同條件下，當(dāng)電流密度恒定時，鋁氧化加工，膜的生長速度與氧化時間成正比；但當(dāng)膜生長到一定厚度時，由于膜電阻升高，影響導(dǎo)電能力，而且由于溫升，膜的溶解速度增大，所以膜的生長速度會逐漸降低，到后面不再增加。
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第4年
